SSDs: Toshiba und Western Digital planen 128-Layer-Flash mit hoher Dichte

Toshiba und Western Digital haben geplant, ab 2020 neue Flash-Chips (BiCS-5) auf den Markt zu bringen. Die neuen Chips sollen 128-fach gestapelt werden. Gleichzeitig soll die bereits jetzt schnelle Schreibleistung weiter gesteigert werden.

Bereits Ende Februar 2019 stellten Western Digital und Toshiba ihren neuen Flash-Speicher auf der International Solid-State Circuits (ISSCC) vor. Die größte Änderung zum alten BiCS-4-Speicher, wird die Erhöhung der Speicherlagen von 96 auf 128.

Toshiba detailliert ersten 128-Layer-NAND

Toshiba entwirft den neuen Speicher vorerst ausschließlich als TLC (Triple-Level Cell). Durch die Erhöhung der Speicherlagen steigt gleichzeitig auch die Kapazität auf 512 Gigabit pro Package.

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Die Erhöhung der Speicherlagen ist aber nicht das einzige, was verändert wurde. Auch der interne Aufbau wurde überarbeitet, um die Eigenschaften des Flash-NANDS zu verbessern.

Zum einen wird beim BiCS-5 ein Circuit-Under-Array-Ansatz genutzt, sodass nicht jede Speicherlage ihre eigene Logik besitzt, sondern diese auf einen Basis-Layer ausgelagert wird.

Außerdem werden die gestapelten Dies in vier statt nur zwei Planes unterteilt, so kann die Schreibleistung von 57 auf 132 MB/s gesteigert werden. Ein 128-Layer-Modul mit zwei Planes für laut Toshiba 66 MB/s erreichen.

Zur Abrundung des neuen Flash-Chips sollen 4 statt 16 KiByte kleine Pages die Leistungsaufnahme verringern.


Quelle: PCGH

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